二极管的结构分类

半导体二极管主要是依托PN结而作业的。与PN结不可分割的点触摸型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包含这两种类型在内，依据PN结结构面的特色，把晶体二极管分类如下：
　　点触摸型
　　点触摸型二极管是在锗或硅资料的单晶片上压触一根金属针后，再经过电流法而构成的。因而，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。可是，与面结型相比较，点触摸型二极管正向特性和反向特性都差，因而，不能运用于大电流和整流。因为结构简单，所以价格便宜。
　　面触摸型
　　面触摸型或称面积型二极管的PN结是用合金法或分散法做成的，因为这种二极管的PN结面积大，可接受较大电流，但极间电容也大。这类器材适用于整流，而不宜用于高频率电路中。
　　键型
　　键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔金或银的细丝而构成的。其特性介于点触摸型二极管和合金型二极管之间。与点触摸型相比较，尽管键型二极管的PN结电容量稍有添加，但正向特性特别优秀。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
　　合金型
　　在N型锗或硅的单晶片上，经过参加合金铟、铝等金属的办法制造PN结而构成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
　　分散型
　　在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片外表的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。Z 近，运用大电流整流器的干流已由硅合金型转移到硅分散型。
　　台面型
　　PN结的制造办法尽管与分散型相同，可是，只保存PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩下的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体资料运用分散法而制成的。因而，又把这种台面型称为分散台面型。关于这一类型来说，好像大电流整流用的产品类型很少，而小电流开关用的产品类型却许多。
　　平面型
　　在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，分散P型杂质，运用硅片外表氧化膜的屏蔽效果，在N型硅单晶片上仅选择性地分散一部分而构成的PN结。因而，不需求为调整PN结面积的药品腐蚀效果。因为半导体外表被制造得平坦，故而得名。而且，PN结合的外表，因被氧化膜掩盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。开始，关于被运用的半导体资料是选用外延法构成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，好像运用于大电流整流用的类型很少，而作小电流开关用的类型则许多。
　　合金分散型
　　它是合金型的一种。合金资料是简单被分散的资料。把难以制造的资料经过奇妙地掺配杂质，就能与合金一同过分散，以便在现已构成的PN结中获得杂质的恰当的浓度散布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。
　　外延型
　　用外延面长的进程制造PN结而构成的二极管。制造时需求十分高明的技能。因能随意地操控杂质的不同浓度的散布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。
　　肖特基
　　基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的触摸面上，用已构成的肖特基来阻挠反向电压。肖特基与PN结的整流效果原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其专长是：开关速度十分快：反向恢复时间trr特别地短。因而，能制造开关二极管和低压大电流整流二极管。