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浅谈二极管特性与效果

发布日期:2021-12-11 作者:东莞市乐晨电子有限公司 点击:0

二极管,(英语:Diode),电子元件傍边,一种具有两个电极的设备,只允许电流由单一方向流过,许多的运用是运用其整流的功用。而变容二极管(VaricapDiode)则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具有的电流方向性咱们一般称之为“整流(Rectifying)”功用。二极管Z遍及的功用就是只允许电流由单一方向经过(称为顺向偏压),反向时阻断(称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。


  前期的真空电子二极管;它是一种可以单向传导电流的电子器材。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器材按照外加电压的方向,具有单向电流的传导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结构成的p-n结界面。在其界面的两头构成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n结两头载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流持平而处于电平衡状况,这也是常态下的二极管特性。


  前期的二极管包括“猫须晶体("Cat'sWhisker"Crystals)”以及真空管(英国称为“热游离阀(ThermionicValves)”)。如今Z遍及的二极管大多是运用半导体资料如硅或锗。


  特性


  正向性


  外加正向电压时,在正向特性的开端部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挠效果,正向电流简直为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压今后,PN结内电场被克服,二极管正导游通,电流随电压增大而敏捷上升。在正常运用的电流规模内,导通时二极管的端电压简直保持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两头的正向电压超越必定数值,内电场很快被削弱,特性电流敏捷增长,二极管正导游通。叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0。5V,锗管约为0。1V。硅二极管的正导游通压降约为0。6~0。8V,锗二极管的正导游通压降约为0。2~0。3V。


  反向性


  外加反向电压不超越必定规模时,经过二极管的电流是少数载流子漂移运动所构成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状况。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目添加,反向饱和电流也随之添加。


  击穿


  外加反向电压超越某一数值时,反向电流会俄然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失掉单导游电性。假如二极管没有因电击穿而引起过热,则单导游电性不必定会被永久损坏,在撤除外加电压后,其功能仍可康复,不然二极管就损坏了。因此运用时应避免二极管外加的反向电压过高。


  二极管是一种具有单导游电的二端器材,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管由于灯丝的热损耗,效率比晶体二极管低,所以现已很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单导游电特性,简直在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的效果,它是诞生Z早的半导体器材之一,其运用也非常广泛。


  二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0。7V,锗管正向管压降为0。3V,发光二极管正向管压降会随不同发光色彩而不同。首要有三种色彩,详细压降参考值如下:赤色发光二极管的压降为2。0——2。2V,黄色发光二极管的压降为1。8—2。0V,绿色发光二极管的压降为3。0—3。2V,正常发光时的额定电流约为20mA。


  二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时分要接相适应的电阻。


  特性曲线


  与PN结一样,二极管具有单导游电性。硅二极管典型伏安


  特性曲线(图)。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超越0。6V时,电流开端按指数规则增大,一般称此为二极管的敞开电压;当电压到达约0。7V时,二极管处于彻底导通状况,一般称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表明。


  关于锗二极管,敞开电压为0。2V,导通电压UD约为0。3V。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超越某个值时,电流开端急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表明。不同类型的二极管的击穿电压UBR值不同很大,从几十伏到几千伏。


  反向击穿


  齐纳击穿


  反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种状况。在高掺杂浓度的状况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,损坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键捆绑,发生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。假如掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易发生齐纳击穿。


  雪崩击穿


  另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压添加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,然后与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,发生新的电子-空穴对。新发生的电子-空穴被电场加快后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地添加,致使电流急剧添加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加约束,都可能形成PN结永久性损坏。


  效果


  二极管是Z常用的电子元件之一,它Z大的特性就是单导游电,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过,二极管的效果有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路,首要都是由二极管来构成的,其原理都很简略,正是由于二极管等元件的创造,才有咱们现在五光十色的电子信息国际的诞生,已然二极管的效果这么大那么咱们应该怎么去检测这个元件呢,其实很简略只要用万用表打到电阻档丈量一下反向电阻假如很小就阐明这个二极管是坏的,反向电阻假如很大这就阐明这个二极管是好的。关于这样的根底元件咱们应牢牢掌握住他的效果原理以及根本电路,这样才能为今后的电子技术学习打下杰出的根底。


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