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别的,因为驱动电路或许会发作较大的回灌电流,为避免对单片机发作影响,Z好用阻隔芯片阻隔,阻隔芯片选取有很多方式,如2801等,这些芯片常做操控总线驱动器,效果是前进驱动才能,满意一定条件后,输出与输入相同,可中止数据单向传输,即单片机信号能够到驱动芯片,反过来不行。
(一)选用集成电机驱动芯片
下面,侧重介绍咱们在平常规划驱动电路时Z常用的驱动电路。半桥驱动芯片 BTS7960 搭成全桥驱动。其驱动电流约 43A,而其晋级产品 BTS7970 驱动电流能够达到 70 几安培!并且也有其可替代产品 BTN7970,它的驱动电流Z大也能达七十几安!
每片芯片的内部有两个 MOS 管,当 IN 输入高电平常上边的 MOS 管导通,常称为高边 MOS 管,当 IN 输入低电平常,下边的 MOS 管导通,常称为低边 MOS管;当 INH 为高电平常使能整个芯片,芯片作业;当 INH 为低电平常,芯片不作业。
INH一般运用时,咱们直接接高电平,使整个电路一直处于作业状况。
下面就是怎么样用该电路使得电机正回转?假设当PWM1端输入PWM波,PWM2端置0,电机正转;那么当 PWM1端为0,PWM2端输入PWM 波时电机将回转!运用此办法需要两路PWM信号来操控一个电机!其实能够只用一路 PWM 接 PWM1 端,别的 PWM2 端能够接在 IO 端口上,用于操控方向!假设 PWM2=0,PWM1 输入信号时电机正转;那么当 PWM2=1是,PWM1 输入信号电机回转(有必要注意:此刻PWM信号输入的是其对应的负占空比)!
以上的电路,关于普通功率的底盘,其驱动电流已经能够满意,可是关于更大功率的底盘,或许有点费劲。尤其是当咱们加的底盘在不断的加减速时,这就需要电机不断的正回转,此刻的电流很大,还用以上的驱动电路,芯片会很烫!!这个时分就需要咱们自己用 MOSFET 和栅极驱动芯片自己规划 H 桥!
通状况损耗(不同mos这个距离或许很大),尤其是pwm没完全打开,处于脉宽调制状况时(对应电动车的起步加快状况),而Z高急速状况往往是导通损耗为主。
Mos损坏首要原因:过流,大电流引起的高温损坏(分继续大电流和瞬间超大电流脉冲导致结温超越承受值);过压,源漏级大于击穿电压而击穿;栅极击穿,一般因为栅极电压受外界或驱动电路损坏超越答应Z高电压(栅极电压一般需低于20v安全)以及静电损坏。