向您介绍TVS二极管的主要参数

目前，TVS二极管在中国仍处于推广阶段，但凭借其可靠性和优异的性能，Huixin认为TVS二极管将得到广泛应用。今天，惠芯将介绍TVS二极管的主要参数。

　　(1)Z小击穿电压VBR

　　当TVS流过规定电流时，TVS两端的电压称为Z小击穿电压。在该区域中，TVS管呈现低阻抗电路。在25摄氏度时，TVS管不会在该电压以下出现雪崩击穿。

　　(2)额定反向关断电压VWM

　VWM是TVS管在正常状态下能够承受的电压。该电压应大于或等于受保护电路的正常工作电压。但它也需要尽可能接近保护电路的正常工作电压，以便整个电路在TVS管工作之前不会面临过电压的威胁。根据VBR的分散度和TVS管的标准值，VBR可分为5%和10%，VBR的5%，VWM=0.85VBR；VBR的10%，VWM=0.81VBR。

　　(3)Z大峰值脉冲电流IPP

　　IPP是TVS晶体管在反向状态下在特定的脉冲条件下通过的Z大脉冲峰值电流。

　　(4)箝位电压Vc

　　当峰值电流IPP流过TVS管时，两端的Z大电压称为箝位电压Vc。VC和IPP反映了TVS管的浪涌抑制能力。一般来说，VC与VBR的比值称为箝位因子（系数），其值通常在1.2和1.4之间。在实际应用中，Vc不应超过保护电路的Z大允许安全电压，否则被保护器件将面临被损坏的可能性。

　　(5)Z大峰值脉冲功耗PM

　　PM通常是Z大峰值脉冲电流IPP和箝位电压Vc的乘积，即Z大峰值脉冲功率消耗。它是TVS管所能承受的Z大峰值功耗。在给定的Z大钳位电压下，功率PM越大，浪涌电流的涌入能力越大。此外，峰值脉冲功率也与脉冲波形、脉冲持续时间和环境温度有关。此外，TVS管能够承受的瞬态脉冲不能重复应用。

　　(6)电容量C

　　TVS管的电容由硅晶片的横截面积和偏置电压决定。它是在1 MHz的特定频率下测量的。C的大小与TVS管的电流耐久性成正比，并且C太大而不能导致信号衰减。因此，电容C是在数据接口电路中选择TVS管的重要参数。

　　(7)漏电流IR

　　当TVS管施加Z大反向工作电压时，IR是TVS管的泄漏电流。在高阻抗电路中使用TVS时，漏电流IR是一个重要的参数。

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