肖特基二极管特色

  肖特基二极管是一种低功耗、大电流、超高速半导体器材，其反向康复时间可小到几个纳秒，正导游通压降仅0.4v左右，而整流电流却可以到达几千安。

  肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，运用二者触摸面上构成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器材。因为N型半导体中存在着很多的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中分散。明显，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的分散运动。跟着电子不断从B分散到A，B表面电子浓度逐步降低，表面电中性被破坏，于是就构成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场效果之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，然后消弱了因为分散运动而构成的电场。当建立起必定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子分散运动到达相对的平衡，便构成了肖特基势垒。

  肖特基势垒二极管（SBD）具有开关频率高和正向压降低一级优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V,Z高仅约100V,以致于限制了其运用规模。像在开关电源（SMPS）和功率因数校对（PFC）电路中功率开关器材的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有运用快速康复外延二极管（FRED）和超快速康复二极管（UFRD）。现在UFRD的反向康复时间Trr也在20ns以上，根本不能满意像空间站等范畴用1MHz~3MHz的SMPS需求。即使是硬开关为100kHz的SMPS,因为UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，然后使SMPS体积和分量添加，不符合小型化和轻浮化的发展趋势。因而，发展100V以上的高压SBD,一直是人们研讨的课题和重视的热点。近几年，SBD已取得了突破性的发展，150V和 200V的高压SBD现已上市，运用新型材料制造的超过1kV的SBD也研制成功，然后为其运用注入了新的生机与生机。

 肖特基二极管的主要特色：正向压降低、反向康复时间快、作业频率高、反向耐压低。